Caracterización de la deposición en baño químico nanofilms de PbS utilizando polietilenimina, trietanolamina y nitrato de amonio como agentes complejantes

Este trabajo presenta la caracterización estructural de nanofilms de PbS depositados mediante la técnica de deposición en baño químico a 70±2°C utilizando Polietilenimina, Trietanolamina y Nitrato de amonio como agentes complejantes, que permiten una reacción controlada y constante de iones por iones en medio acuoso cuyas reacciones de baño químico tienen lugar en soluciones básicas con valores de pH típicos 9-12, distinguiendo los complejos obtenidos por su estabilidad termodinámica y estabilidad cinética. Las frecuencias de estiramiento fundamentales de PbS se determinaron mediante espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier. La espectroscopia de fotoelectrones de rayos X proporciona la composición atómica relativa y la identificación de las transiciones fotoelectrónicas más intensas S2p (164 eV) y Pb4f 7/2 (137,34 eV) para la película de nitrato de PbS, que están asociadas con el estado de oxidación de Pb (II). El cambio a energías de unión más altas, Pb4f7 / 2 (139,01 eV) para PbS-Polietilenimina y PbS-Trietanolamina, muestra la presencia de PbO2 con estado de oxidación Pb (IV). El análisis de difracción de rayos X y la espectroscopia Raman revelan que las nanofilms depositadas por PbS tenían una fase cristalina de galena cúbica pura cuando se usó nitrato de amonio como agente complejante, con el agente complejante de polietilenimina, se observó la formación de PbS cúbicos en fase cúbica con trazas monoclínicas de Lanarkita Pb2(SO4)2. Finalmente, utilizando trietanolamina como agente complejante, se encontraron trazas de PbS de fase cúbica con anglesita ortorrómbica y óxido de plomo (x 1 1.57). La morfología superficial de las muestras se obtuvo mediante Microscopía Electrónica de Transmisión de Alta Resolución. Las películas delgadas muestran tres huecos de banda directa, alrededor de 0,77-0,78 y 0,84-0,88 eV pertenecían al estado de trampa media causado por los niveles de enlace colgando de Pb y S+2, y la energía del hueco de banda en 0,91-1,10 eV se atribuyó al confinamiento cuántico asociado al tamaño de grano, que se obtuvieron por transmitancia.

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