Terminologia:
- IDS = corrente de dreno para fonte OU dreno-fonte de corrente
- VDS = dreno para fonte de tensão
- L = comprimento do canal
Agora para o caso ideal, na região de saturação, IDENTIFICAÇÕES torna-se independente da VDS i.e. na região de saturação do canal é comprimido para fora na drenagem final, e mais um aumento de VDS não tem efeito sobre o canal da forma.
mas, na prática, o aumento de VDS afeta o canal. Na região de saturação, quando VDS aumenta, o ponto de pinch-off do canal é movido ligeiramente para longe do dreno, para a fonte como o campo de elétrons do dreno “empurra” para trás. The reverse bias depletion region widens and the effective channel length decreases by an amount of ∆L for an increase in VDS.
assim, o canal já não” toca ” o ralo e adquire uma forma assimétrica que é mais fina na extremidade do ralo. Este fenômeno é conhecido como modulação de comprimento do canal.
em dispositivos grandes, este efeito é negligenciável, mas para dispositivos mais curtos ∆l/L torna-se importante. Também na região de saturação devido à modulação do comprimento do canal, o IDS aumenta com o aumento do VDS e também aumenta com a diminuição do comprimento do canal L.
a curva tensão-corrente já não é plana nesta região.
O dreno de corrente com a modulação do comprimento do canal é dada por:
DERIVAÇÃO:
Para ter em conta a dependência de IDENTIFICAÇÃO em VDS na região de saturação, substituir L pela L – ∆L. sabemos que na região de saturação, de dreno para fonte de corrente (ID = ID) é dada por:
Supondo 
Desde ∆L aumenta com o aumento de VDS
OU
onde, 
= processo de parâmetro da tecnologia com a unidade µm/V.
portanto,,
onde,
= tecnologia de processo de parâmetro com unidade V-1
