Caratterizzazione di bagno chimico deposizione PbS nanofilms utilizzando polyethyleneimine, trietanolammina e nitrato di ammonio come agenti complessanti

Questo lavoro presenta la caratterizzazione strutturale di PbS nanofilms depositato da bagno chimico tecnica di deposizione a 70±2°C, utilizzando Polyethyleneimine, Trietanolammina e nitrato di Ammonio come agenti complessanti, che permettono una controllata e costante ione per ione reazione mezzo acquoso le cui reazioni chimiche a bagno avvengono in soluzioni basiche con valori tipici di pH 9-12, distinguendo i complessi ottenuti per la loro stabilità termodinamica e stabilità cinetica. Le frequenze fondamentali di allungamento di PbS sono state determinate dalla spettroscopia infrarossa della trasformata di Fourier. La spettroscopia fotoelettronica a raggi X fornisce la composizione atomica relativa e l’identificazione delle transizioni fotoelettroniche più intense S2p (164 eV) e Pb4f 7/2 (137,34 eV) per il film di nitrato di PbS, che sono associate allo stato di ossidazione di Pb (II). Il passaggio a energie di legame più elevate, Pb4f7 / 2 (139,01 eV) per PbS-polietileneimina e PbS-Trietanolammina mostra la presenza di PbO2 con stato di ossidazione Pb (IV). L’analisi di diffrazione a raggi X e la spettroscopia Raman rivelano che i nanofilmi depositati con PBS avevano una fase cristallina di galena cubica pura quando il nitrato di ammonio è stato usato come agente complessante, con l’agente complessante polietileneimina, è stata osservata la formazione di PBS cubici in fase cubica con tracce di Lanarkite monoclina Pb2(SO4)2. Infine, utilizzando trietanolamina come agente complessante, fase cubica PbS con anglesite ortorombica e ossido di piombo (x∼1.57) tracce sono state trovate. La morfologia superficiale dei campioni è stata ottenuta mediante microscopia elettronica a trasmissione ad alta risoluzione. I film sottili mostrano tre lacune di banda diretta, circa 0,77–0,78 e 0,84-0,88 eV appartenevano allo stato di trappola medio causato dal legame Pb penzolante e dai livelli S+2 e l’energia del gap di banda a 0,91-1,10 eV è stata attribuita al confinamento quantico associato alla dimensione del grano, che sono stati ottenuti

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